科技部9月26日消息稱，日本理化學研究所和千葉大學組成的聯合研發小組開發成功絕緣部厚度是目前十分之一的下一代超薄高溫超導電纜。

　　聯合小組采用與金屬電鍍相同的聚酰亞胺電沉積法，在導電線的表面形成極薄的聚酰亞胺絕緣體皮膜。絕緣體的厚度僅為4微米，是目前高溫超導電纜絕緣部厚度的十分之一。經測試，斷面絕緣比例達到10%以下，較現有高溫超導電纜減少80%以上；制成的超導線圈電流密度增加2倍以上，體積可減小4/5左右。制作工序也較目前采取的聚合體絕緣帶包卷方式更加簡化∩依據需要制作小型超導線圈以及數公里長的高溫超導電纜。

　　目前，高溫超導電纜通常呈寬4毫米到5毫米、厚100微米到150微米的薄帶狀。其中絕緣部分厚度和導電線厚度基本相同，各為50微米左右。較厚的絕緣層對電流密度有一定影響，也使超導線圈體積難以進一步小型化。該方法使核磁共振（NMR）和磁共振成像（MRI）等裝置的小型化和低成本制造成為可能。有關研究成果將發表在物理學《Physica C》雜志電子版